[发明专利]一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法有效
| 申请号： | 201811557608.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109659266B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;昂开渠;聂珊珊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 刻蚀 电流 稳定性 方法 | ||
1.一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供一设有静电吸盘的刻蚀腔；所述静电吸盘设有电路系统，所述电路系统中设有可调变阻器；
步骤二、所述静电吸盘电路系统中的环路电流随该刻蚀腔的使用时间呈线性变化；提供一控制系统，所述控制系统采集所述静电吸盘使用时间的数值，并根据该使用时间的数值计算得到该电路系统中环路电流的数值；
步骤三、提供一基准电流值，所述控制系统将步骤二中计算得到的环路电流的数值反馈至所述可调变阻器，该可调变阻器对其内部阻值进行调节，使所述电路系统中环路电流的大小与所述基准电流值大小接近或相同，以解决因静电吸盘表面吸附的铝基聚合物导致的电流增大造成的刻蚀腔体作业环境漂移的问题；
步骤四、提供至少一片晶圆，使所述刻蚀腔对所述晶圆进行多次刻蚀，每刻蚀一次均循环执行步骤二至步骤三。
2.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：步骤二中的所述控制系统为APC先进控制系统。
3.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀腔为等离子反应刻蚀腔体。
4.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：步骤四中对所述晶圆进行的刻蚀包括去掉主要介质层的主刻蚀和去掉残留介质的过刻蚀。
5.根据权利要求4所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述介质层为钝化层，所述钝化层的材料为氮化钛。
6.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述步骤一中的电路系统包括固定内阻。
7.根据权利要求6所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述固定内阻包括等离子体电阻、晶圆电阻、静电吸盘电阻。
8.根据权利要求7所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述步骤一中的电路系统还包括高压电源电阻、漏电流采样电阻、滤波电阻、滤波电容。
9.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述步骤二中所述线性变化中的线性关系系数为0.045。
10.根据权利要求9所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：所述静电吸盘在其使用时间数清零的状态下，具有初始电流值，该初始电流值41.889μА。
11.根据权利要求1所述的提高刻蚀腔电流稳定性的方法，其特征在于：步骤二中所述控制系统对所述静电吸盘的使用时间数的采集范围为0～3500小时。
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