[发明专利]一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法有效
| 申请号： | 201811550606.7 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109616511B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法，包括以下工艺流程：N型衬底片准备；Zero光刻、刻蚀形成光刻标记；BP光刻、BP注入，注入硼，去胶后做BP高温推阱，形成深BP阱；薄N型EPI生长；NW高能普注，注入磷；Pw光刻，Pw注入，注入硼；去胶后做推阱，并用LOCOS的方式形成FOX区域；Ptop光刻，Ptop注入，注入硼；去胶后做短时间的推阱，然后做N+光刻注入，P+光刻注入，其中Ptop、PW、BP均为P型区域；ILD沉积，孔刻蚀，Metal沉积，Metal光刻刻蚀；实现了VDMOS终端纵向PNPN，Ptop/NW/BP/Nepi多层结构；如果不做Ptop光刻注入，那么就是实现了VDMOS终端纵向NPN，NW/BP/Nepi多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 多重 pn vdmos 分压环 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法，其特征在于，包括以下工艺流程：1)衬底片准备；根据不同的耐压等级选择不同的N型电阻率，接着做Zero光刻、刻蚀，Zero仅用于后续的光刻对准，然后做BP光刻，BP注入硼2)去胶后做BP高温推阱，形成深BP阱；3)薄N型EPI生长；4)NW高能普注，注入磷；5)Pw光刻，Pw注入，注入硼；6)去胶后做推阱，并用LOCOS的方式形成FOX区域；7)Ptop光刻，Ptop注入，注入硼；8)去胶后做短时间的推阱，然后做N+光刻注入，P+光刻注入，其中，Ptop、PW、BP均为P型区域；9)ILD沉积，孔刻蚀，Metal沉积，Metal光刻刻蚀。
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