[发明专利]一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法

权利要求书

1.一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法，其特征在于，包括以下工艺流程：

1)衬底片准备；根据不同的耐压等级选择不同的N型电阻率，接着做Zero光刻、刻蚀，Zero仅用于后续的光刻对准，然后做BP光刻，BP注入硼

2)去胶后做BP高温推阱，形成深BP阱；

3)薄N型EPI生长；

4)NW高能普注，注入磷；

5)Pw光刻，Pw注入，注入硼；

6)去胶后做推阱，并用LOCOS的方式形成FOX区域；

7)Ptop光刻，Ptop注入，注入硼；

8)去胶后做短时间的推阱，然后做N+光刻注入，P+光刻注入，其中，Ptop、PW、BP均为P型区域；

9)ILD沉积，孔刻蚀，Metal沉积，Metal光刻刻蚀；

所述步骤2)中，温度为1150℃，时间为300mins；

步骤3)中，所述生长厚度为4um～5.0um；

所述步骤4)中，能量为300kev～360kev，剂量为0.8E12～1.2E12；

所述步骤5)中，能量为80Kev，剂量为0.5E13～1.5E13；

所述步骤7)中，能量180Kev，剂量2.9E12；

所述NW位于所述BP上部；

所述Ptop位于所述NW上部；

所述Ptop跟所述BP通过所述PW连接；

所述NW位于所述Ptop与所述BP中间并与所述PW平行。