[发明专利]具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：衬底；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，它们通过衬底中的沟槽彼此间隔开；以及沟槽中的栅结构，其中，栅结构包括：栅电介质层，其形成在沟槽的底部和侧壁上；第一栅电极，其定位于沟槽的底部中、栅电介质层之上；第二栅电极，其定位于第一栅电极之上；以及偶极子诱导层，其形成在第一栅电极与第二栅电极之间并且形成在栅电介质层和第二栅电极的侧壁之间。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区通过所述衬底中的沟槽彼此间隔开；以及栅结构，所述栅结构包括：栅电介质层，其覆盖所述沟槽的底部和侧壁；第一栅电极，其定位于所述栅电介质层之上；第二栅电极，其定位于所述第一栅电极之上，其中，所述栅电介质层包括：第一部分，其接触所述第一栅电极；以及第二部分，其包括包含偶极子诱导化学物质的偶极子诱导部分，所述偶极子诱导部分接触所述第二栅电极。