[发明专利]具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区通过所述衬底中的沟槽彼此间隔开；以及

栅结构，所述栅结构包括：

栅电介质层，其覆盖所述沟槽的底部和侧壁；

第一栅电极，其定位于所述栅电介质层之上；

第二栅电极，其定位于所述第一栅电极之上，

其中，所述栅电介质层包括：

第一部分，其接触所述第一栅电极；以及

第二部分，其包括包含偶极子诱导化学物质的偶极子诱导部分，所述偶极子诱导部分接触所述第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电介质层的所述第二部分包括：

第三部分，其包含所述偶极子诱导化学物质；以及

第四部分，其不包含所述偶极子诱导化学物质，

其中，所述第三部分接触所述第二栅电极，且所述第四部分接触所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电介质层的所述第一部分不包括所述偶极子诱导化学物质。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偶极子诱导化学物质包括镧原子，而所述栅电介质层的所述第一部分不包括镧原子。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电介质层的所述第二部分包括包含镧原子的氧化硅，而所述栅电介质层的所述第一部分包括不包含镧原子的氧化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电介质层的所述第二部分包括：

包含镧原子的氧化硅；以及

不包含镧原子的无镧原子的氧化硅，并且

包含镧原子的氧化硅与所述第二栅电极接触，而无镧原子的氧化硅与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括金属氮化物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极包括金属，且所述第二栅电极包括金属氮化物，并且

所述栅结构还包括在所述第一栅电极与所述栅电介质层之间形成的金属氮化物阻挡物。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极包括金属基材料，且所述第二栅电极包括N型掺杂多晶硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极的上部包括所述偶极子诱导化学物质，其中，所述第二栅电极和所述第一栅电极的下部不包含所述偶极子诱导化学物质。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极的上部包括：包含镧原子的氮化钛、包含镧原子的钨或其叠层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

抗氧化阻挡物，其形成在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，

其中，所述抗氧化阻挡物包括所述偶极子诱导化学物质。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述抗氧化阻挡物包括包含镧原子的氮化钛。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

鳍状区，其形成在所述沟槽的下面，

其中，所述栅电介质层与所述第一栅电极覆盖所述鳍状区的顶表面与侧壁。