[发明专利]一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法有效
申请号: | 201811504866.0 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109586556B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 曹伟华 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 林桐苒;解婷婷 |
地址: | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本申请公开了一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法,所述电路包括一个脉宽调节降压控制器控制多相直流脉宽调节电路,所述多相直流脉宽调节电路的每一相分别包括一个输出电感和一个输出电容;其中第一相直流脉宽调节电路包括一对率场效应管,其它各相直流脉宽调节电路分别包括两对或两对以上的功率场效应管。本申请公开的方案,利用并联N‑MOSFET降低传输阻抗并利用小电感值的电感感抗小充放电迅速的特点,针对不同应用环境要求,脉宽降压调节电路能实时调整,在负载电流需求增大时可以及时对输出电路进行充电,确保输出电路工作稳定。 | ||
搜索关键词: | 电路 直流脉宽 降压 脉宽 输出电路 负载电流需求 功率场效应管 降压控制器 场效应管 传输阻抗 电感感抗 工作稳定 脉宽调节 实时调整 输出电感 输出电容 应用环境 充放电 电路能 小电感 并联 申请 充电 | ||
【主权项】:
1.一种多相脉宽降压调节电路,其特征在于,包括:/n一个脉宽调节降压控制器控制多相直流脉宽调节电路,所述多相直流脉宽调节电路的每一相分别包括一个输出电感和一个输出电容;其中第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管,其它各相直流脉宽调节电路分别包括两对或两对以上的功率场效应管;/n其中,当一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管时,所述一对功率场效应管包括:两个相同的N型MOSFET;/n当一相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管时,所述两对功率场效应管包括:四个相同的N型MOSFET;/n当一相直流脉宽调节电路包括三对功率场效应管时,所述三对功率场效应管包括:六个相同的N型MOSFET;/n第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管Q1/Q2,其中Q1的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的高端,Q2的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的低端;所述Q1的源极连接所述Q2的漏极以及第一输出电感L1的第一端,所述L1的第二端连接第一输出电容C1的正极,所述C1的负极接地;所述Q1的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的正极,所述Q2的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的负极和接地端;/n第二相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管Q3/Q4和Q5/Q6,其中,Q3和Q4组成第二对功率场效应管,Q5和Q6组成第三对功率场效应管,所述第二对和第三对功率场效应管并联连接;所述Q3和Q5的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的高端;所述Q4和Q6栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的低端;所述Q3和Q5的源极连接所述Q4和Q6的漏极以及第二输出电感L2的第一端,所述L2的第二端连接第二输出电容C2的正极,所述C2的负极接地;所述Q3和Q5的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的正极,所述Q4和Q6的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的负极和接地端。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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