[发明专利]一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法

说明书

本申请公开了一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法，所述电路包括一个脉宽调节降压控制器控制多相直流脉宽调节电路，所述多相直流脉宽调节电路的每一相分别包括一个输出电感和一个输出电容；其中第一相直流脉宽调节电路包括一对率场效应管，其它各相直流脉宽调节电路分别包括两对或两对以上的功率场效应管。本申请公开的方案，利用并联N‑MOSFET降低传输阻抗并利用小电感值的电感感抗小充放电迅速的特点，针对不同应用环境要求，脉宽降压调节电路能实时调整，在负载电流需求增大时可以及时对输出电路进行充电，确保输出电路工作稳定。

技术领域

本发明涉及多相脉宽降压调节技术，尤指一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法。

背景技术

现有的多相脉宽降压调节电路中，每一相都使用同样的N型功率场效应管N-MOSFET及输出电感配置，当面对输出端电流静态时较低而动态时电流上升斜率很大导致剧烈变化时，无法兼顾不同输出情况进行设计，具有设计针对性差，性能低下的缺点。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供了一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法，在负载电流需求增大时可以及时对输出电路进行充电，确保输出电路工作稳定。

根据本申请的一个方面，提供了一种多相脉宽降压调节电路，包括：一个脉宽调节降压控制器控制多相直流脉宽调节电路，所述多相直流脉宽调节电路的每一相分别包括一个输出电感和一个输出电容；其中第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管，其它各相直流脉宽调节电路分别包括两对或两对以上的功率场效应管。

可选地，其中第二相直流脉宽调节电路可以包括两对功率场效应管，第二相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值比所述第一相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值小第一预设比例。

可选地，其中第三相流脉宽调节电路可以包括三对功率场效应管，第三相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值比所述第二相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值小第二预设比例。

可选地，上述电路中：

当一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管时，所述一对功率场效应管包括：两个相同的N型MOSFET；

当一相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管时，所述两对功率场效应管包括：四个相同的N型MOSFET；

当一相直流脉宽调节电路包括三对功率场效应管时，所述三对功率场效应管包括：六个相同的N型MOSFET。

可选地，上述电路中：

第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管Q1/Q2，其中Q1的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的高端，Q2的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的低端；所述Q1的源极连接所述Q2的漏极以及第一输出电感L1的第一端，所述L1的第二端连接第一输出电容C1的正极，所述C1的负极接地；所述Q1的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的正极，所述Q2的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的负极和接地端；

第二相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管Q3/Q4和Q5/Q6，其中，Q3和Q4组成第二对功率场效应管，Q5和Q6组成第三对功率场效应管，所述第二对和第三对功率场效应管并联连接；所述Q3和Q5的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的高端；所述Q4和Q6栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的低端；所述Q3和Q5的源极连接所述Q4和Q6的漏极以及第二输出电感L2的第一端，所述L2的第二端连接第二输出电容C2的正极，所述C2的负极接地；所述Q3和Q5的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的正极，所述Q4和Q6的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的负极和接地端。

可选地，上述电路中：