[发明专利]一种多相脉宽降压调节电路及其调节方法

权利要求书

1.一种多相脉宽降压调节电路，其特征在于，包括：

一个脉宽调节降压控制器控制多相直流脉宽调节电路，所述多相直流脉宽调节电路的每一相分别包括一个输出电感和一个输出电容；其中第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管，其它各相直流脉宽调节电路分别包括两对或两对以上的功率场效应管；

其中，当一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管时，所述一对功率场效应管包括：两个相同的N型MOSFET；

当一相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管时，所述两对功率场效应管包括：四个相同的N型MOSFET；

当一相直流脉宽调节电路包括三对功率场效应管时，所述三对功率场效应管包括：六个相同的N型MOSFET；

第一相直流脉宽调节电路包括一对功率场效应管Q1/Q2，其中Q1的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的高端，Q2的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第一驱动接口的低端；所述Q1的源极连接所述Q2的漏极以及第一输出电感L1的第一端，所述L1的第二端连接第一输出电容C1的正极，所述C1的负极接地；所述Q1的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的正极，所述Q2的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第一电流感测接口的负极和接地端；

第二相直流脉宽调节电路包括两对功率场效应管Q3/Q4和Q5/Q6，其中，Q3和Q4组成第二对功率场效应管，Q5和Q6组成第三对功率场效应管，所述第二对和第三对功率场效应管并联连接；所述Q3和Q5的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的高端；所述Q4和Q6栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第二驱动接口的低端；所述Q3和Q5的源极连接所述Q4和Q6的漏极以及第二输出电感L2的第一端，所述L2的第二端连接第二输出电容C2的正极，所述C2的负极接地；所述Q3和Q5的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的正极，所述Q4和Q6的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第二电流感测接口的负极和接地端。

2.根据权利要求1所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，其中，

第二相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值比所述第一相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值小第一预设比例。

3.根据权利要求1所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，其中，

第二相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值比所述第一相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值小第一预设比例；

第三相流脉宽调节电路包括三对功率场效应管，第三相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值比所述第二相直流脉宽调节电路的输出电感的电感值小第二预设比例。

4.根据权利要求1所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，还包括：

第三相直流脉宽调节电路包括三对功率场效应管Q7/Q8、Q9/Q10和Q11/Q12；其中，Q7和Q8组成第四对功率场效应管，Q9和Q10组成第五对功率场效应管，Q11和Q12组成第六对功率场效应管，所述第四对、第五对、第六对功率场效应管并联连接；Q7、Q9和Q11的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第三驱动接口的高端；Q8、Q10和Q12的栅极连接所述脉宽调节降压控制器的第三驱动接口的低端；Q7、Q9和Q11的源极连接Q8、Q10、和Q12的漏极以及第三输出电感L3的第一端，所述L3的第二端连接第二输出电容C3的正极，所述C3的负极接地；Q7、Q9和Q11的源极还连接到所述脉宽调节降压控制器的第三电流感测接口的正极，Q8、Q10和Q12的源极连接到所述脉宽调节降压控制器的第三电流感测接口的负极和接地端。

5.根据权利要求1所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，

L2的电感值等于L1的电感值的30％～70％。

6.根据权利要求4所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，

L2的电感值等于L1的电感值的30％～70％；

L3的电感值等于L2的电感值的30％～70％。

7.一种多相脉宽降压调节方法，适用于如权利要求1-6任一项所述的多相脉宽降压调节电路，其特征在于，包括：

当所述多相脉宽降压调节电路的输出端处于低输出电流工作模式时，仅第一相直流脉宽调节电路工作；

当所述多相脉宽降压调节电路的输出端处于高输出电流工作模式时，第一相和第二相直流脉宽调节电路协同工作；

当所述多相脉宽降压调节电路的输出端处于突发高输出电流工作模式时，第一相、第二相和第三相直流脉宽调节电路协同工作。