[发明专利]一种半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201811502280.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109285924A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴化胜;赵帅;刘亚柱;张洪波;张丽;唐驰 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体芯片的制造方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；其中，形成所述电流扩展层的步骤，包括：进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗；进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火，通过本发明能够对芯片制造工艺进行创新，能够保证在芯片面积不变的情况下提升芯片的亮度，同时本发明工艺简单稳定，可操作性强，能够在半导体行业推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 半导体层 外延结构 退火 清洗 半导体芯片 电流阻挡层 衬底 芯片 芯片制造工艺 半导体行业 第二电极 第一电极 发光层 沉积 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于：包括，提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；其中，形成所述电流扩展层的步骤，包括：进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗；进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火。
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