[发明专利]一种半导体芯片的制造方法

说明书

本发明提出一种半导体芯片的制造方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；其中，形成所述电流扩展层的步骤，包括：进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗；进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火，通过本发明能够对芯片制造工艺进行创新，能够保证在芯片面积不变的情况下提升芯片的亮度，同时本发明工艺简单稳定，可操作性强，能够在半导体行业推广应用。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体芯片的制造方法。

背景技术

发光二极管是一种半导体器件，发光二极管以其亮度高，低功耗，寿命长，启动快，功率小，无频闪等优点，成为新一代光源的首选。随着半导体行业的不断发展，发光二极管芯片在追逐更高效率，更高可靠性的方向一步一步迈进。目前，发光二极管已经广泛的应用在照明，通信，生物医学，指示灯等方方面面，虽然发光二极管已经广泛的应用于生产和生活中，但是发光二极管在应用领域还是存在不少问题需要解决，比如如何进一步提高发光二极管芯片的亮度，如何降低成本制备出性能可靠的优质发光二极管芯片等，对于发光二极管芯片行业的技术人员而言是必须要面对和解决的问题。

发明内容

鉴于现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体芯片的制造方法，以提高半导体芯片的亮度。

本发明提出一种半导体芯片的制造方法，至少包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

S2：形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；

S3：形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；

S4：形成第一电极于所述电流扩展层上，以及

形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；

其中，在步骤S1中，所述第二半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第二半导体层上，所述第一半导体层位于所述发光层上；当生长发光二极管芯片的外延结构时，所述第二半导体层可包括N型半导体层，所述第一半导体层可包括P型半导体层；

在步骤S2中，所述电流阻挡层位于所述第一半导体层上，所述电流阻挡层包括至少一个开口；

在步骤S3中，形成所述电流扩展层时，包括：

进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗，采用等离子体多步骤的清洗，所述等离子体的清洗参数包括：

1)第一清洗步骤参数：压力0～10mTorr，Cl₂流量10～50sccm，BCl₃流量10～50sccm，时间10～100s；

2)第二清洗步骤参数：压力0～10mTorr，上电极功率200～1000W，下电极功率0～30W，Cl₂流量10～50sccm，BCl₃流量10～50sccm，时间0～100s；

3)第三清洗步骤参数：压力0mTorr，Cl₂流量0sccm，BCl₃流量0sccm，时间0～50s。

进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火；所述电流扩展层至少包括一个开口，所述电流扩展层的开口大于所述电流阻挡层的开口，所述电流扩展层的开口位于所述电流阻挡层的开口上；