[发明专利]一种半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201811502280.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109285924A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 吴化胜;赵帅;刘亚柱;张洪波;张丽;唐驰 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 半导体层 外延结构 退火 清洗 半导体芯片 电流阻挡层 衬底 芯片 芯片制造工艺 半导体行业 第二电极 第一电极 发光层 沉积 制造 保证 | ||
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于：包括，
提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；
形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；
形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；
形成第一电极于所述电流扩展层上，以及
形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；
其中，形成所述电流扩展层的步骤，包括：
进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗；
进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第二半导体层上，所述第一半导体层位于所述发光层上。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述电流阻挡层至少包括一个开口。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述电流扩展层至少包括一个开口，所述电流扩展层的开口大于所述电流阻挡层的开口，所述电流扩展层的开口位于所述电流阻挡层的开口之上。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在所述清洗步骤中，利用等离子体对沉积后的所述电流扩展层进行清洗。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一电极位于所述电流阻挡层的开口和所述电流扩展层的开口区域内。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：还包括对所述外延结构进行刻蚀，以得到一凹槽。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述凹槽依次穿过第一半导体层，发光层，暴露出第二半导体层。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第二半导体层包括N型半导体层。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：还包括形成一钝化层于所述第一电极的周围边缘，以及第二电极的周围边缘。
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