[发明专利]离子植入机及其工作方法在审
| 申请号： | 201811493470.0 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109686644A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邸太平;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种离子植入机及其工作方法，离子植入机包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。利用所述离子植入机在提高不同批次晶圆的离子植入一致性的同时，还能够减少宕机频率。 | ||
| 搜索关键词： | 第二挡板 第一挡板 离子植入机 开口结构 离子束 离子源 晶圆 切换器 分立 植入 宕机 离子 发射 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于所述离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。
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