[发明专利]离子植入机及其工作方法

说明书

一种离子植入机及其工作方法，离子植入机包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。利用所述离子植入机在提高不同批次晶圆的离子植入一致性的同时，还能够减少宕机频率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种离子植入机及其工作方法。

背景技术

离子植入在半导体制造技术中有着广泛的应用，它是一种向半导体材料中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能的方法，最主要的用途是掺杂半导体材料。离子植入工艺是在离子植入机中进行的，通过离子源入射的离子束(Ion Beam)扫描整个晶圆(Wafer)，使晶圆表面的半导体材料得到均匀的掺杂。

然而，现有离子植入机的宕机频率较高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种离子植入机及其工作方法，以降低离子植入机的宕机频率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种离子植入机，包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。

可选的，所述工作面与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。

可选的，各个所述第一挡板均具有第一中心面；各所述第一挡板包括相互平行的两个第一侧壁，所述两个第一侧壁分别位于所述第一中心面两侧，且所述两个第一侧壁平行于所述第一中心面，所述两个第一侧壁到所述第一中心面的距离相同；所述第一挡板还包括第二侧壁，所述第二侧壁的两端分别与两个第一侧壁的边缘连接；各个所述第二挡板均具有第二中心面；各个所述第二挡板包括相互平行的两个第三侧壁，所述两个第三侧壁分别位于第二中心面两侧，且所述两个第三侧壁平行于所述第二中心面，所述两个第三侧壁到所述第二中心面的距离相等；所述第二挡板还包括第四侧壁，所述第四侧壁的两端分别与两个第三侧壁的边缘连接；当所述第一挡板与第二挡板处于工作面时，所述第一中心面与第二中心面共面，且所述第二侧壁朝向所述第四侧壁，所述第二侧壁和第四侧壁构成所述开口结构的侧壁。

可选的，所述第一挡板结构还包括第一固定部，各个第一挡板的一端固定于第一固定部上，且所述第一固定部与第二侧壁相对设置；所述第二挡板结构还包括第二固定部，各个第二挡板的一端固定于第二固定部上，且所述第二固定部与第四侧壁相对设置。

可选的，所述第一固定部具有第一轴向，若干所述第一挡板围绕所述第一轴向固定于所述第一固定部，所述第一轴向与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°小于180°的夹角；所述第二固定部具有第二轴向，若干所述第二挡板围绕所述第二轴向固定于所述第二固定部，所述第二轴向与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。

可选的，所述第一挡板的个数大于或等于2个；所述第二挡板的个数大于或等于2个。

可选的，还包括：位于所述离子源和第一挡板结构之间的第一偏转装置，用于筛分离子束；位于所述第一挡板结构和基座之间的第二偏转装置，用于使离子束平行射向基座。

可选的，所述切换器包括马达。