[发明专利]离子植入机及其工作方法在审
| 申请号: | 201811493470.0 | 申请日: | 2018-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN109686644A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 邸太平;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
| 地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第二挡板 第一挡板 离子植入机 开口结构 离子束 离子源 晶圆 切换器 分立 植入 宕机 离子 发射 | ||
1.一种离子植入机,其特征在于,包括:
离子源,用于发射离子束;
基座,用于承装晶圆;
位于所述离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构,所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立,所述第一挡板结构包括若干个第一挡板,所述第二挡板结构包括若干个第二挡板;
切换器,使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面,处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构,所述开口结构使离子束通过。
2.如权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述工作面与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。
3.如权利要求2所述的离子植入机,其特征在于,各个所述第一挡板均具有第一中心面;各所述第一挡板包括相互平行的两个第一侧壁,所述两个第一侧壁分别位于所述第一中心面两侧,且所述两个第一侧壁平行于所述第一中心面,所述两个第一侧壁到所述第一中心面的距离相同;所述第一挡板还包括第二侧壁,所述第二侧壁的两端分别与两个第一侧壁的边缘连接;各个所述第二挡板均具有第二中心面;各个所述第二挡板包括相互平行的两个第三侧壁,所述两个第三侧壁分别位于第二中心面两侧,且所述两个第三侧壁平行于所述第二中心面,所述两个第三侧壁到所述第二中心面的距离相等;所述第二挡板还包括第四侧壁,所述第四侧壁的两端分别与两个第三侧壁的边缘连接;
当所述第一挡板与第二挡板处于工作面时,所述第一中心面与第二中心面共面,且所述第二侧壁朝向所述第四侧壁,所述第二侧壁和第四侧壁构成所述开口结构的侧壁。
4.如权利要求3所述的离子植入机,其特征在于,所述第一挡板结构还包括第一固定部,各个第一挡板的一端固定于第一固定部上,且所述第一固定部与第二侧壁相对设置;所述第二挡板结构还包括第二固定部,各个第二挡板的一端固定于第二固定部上,且所述第二固定部与第四侧壁相对设置。
5.如权利要求4所述的离子植入机,其特征在于,所述第一固定部具有第一轴向,若干所述第一挡板围绕所述第一轴向固定于所述第一固定部,所述第一轴向与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°小于180°的夹角;所述第二固定部具有第二轴向,若干所述第二挡板围绕所述第二轴向固定于所述第二固定部,所述第二轴向与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。
6.如权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述第一挡板的个数大于或等于2个;所述第二挡板的个数大于或等于2个。
7.如权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,还包括:位于所述离子源和第一挡板结构之间的第一偏置装置,用于筛分离子束;位于所述第一挡板结构和基座之间的第二偏转装置,用于使离子束平行射向基座。
8.如权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述切换器包括马达。
9.一种如权利要求1至权利要求8任一项所述离子植入机的工作方法,其特征在于,包括:
提供上述离子植入机;
提供晶圆;
将晶圆置于基座上;
利用切换器使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面,处于工作面的第一挡板和第二挡板之间构成所述开口结构;
当第一挡板和第二挡板构成开口结构之后,使离子源发射离子束,所述离子束经开口结构后射入晶圆,对晶圆进行离子植入。
10.如权利要求9所述的离子植入机的工作方法,其特征在于,每个所述第一挡板处于工作面的工作时间为:1.5个月~2个月;每个所述第二挡板处于工作面的工作时间为:1.5个月~2个月。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811493470.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:处理装置以及具有扩散路径的构件
- 下一篇:一种射频放电系统及其法拉第屏蔽结构





