[发明专利]像素补偿电路及像素补偿方法有效

专利信息
申请号: 201811489457.8 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109473063B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 李骏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种像素补偿电路包含有机发光二极管、第一晶体管、补偿晶体管、存储电容以及第二晶体管。所述有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平。所述第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号。所述补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,所述补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和。所述存储电容设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间。利用本发明提供的像素补偿电路可以改善驱动晶体管老化的现象,提升驱动晶体管的均匀度。
搜索关键词: 像素 补偿 电路 方法
【主权项】:
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包含:有机发光二极管,其阴极连接至第一参考电平;第一晶体管,其源极连接至高电平以及数据信号,其漏极连接至所述有机发光二极管的阳极;补偿晶体管,其源极与栅极连接至第二参考电平,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和;存储电容,设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间;以及第二晶体管,其栅极连接本级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极;其中当所述本级扫描信号为低电平时,所述第二晶体管导通,使得所述第一晶体管的栅极与漏极短接。
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