[发明专利]像素补偿电路及像素补偿方法有效
申请号: | 201811489457.8 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109473063B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 李骏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 补偿 电路 方法 | ||
一种像素补偿电路包含有机发光二极管、第一晶体管、补偿晶体管、存储电容以及第二晶体管。所述有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平。所述第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号。所述补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,所述补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和。所述存储电容设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间。利用本发明提供的像素补偿电路可以改善驱动晶体管老化的现象,提升驱动晶体管的均匀度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及像素驱动电路的像素补偿电路。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器具有色域广、对比度高、亮度高、反应快、耗能低、具柔软性等优点,因此逐渐成为显示领域发展的重点技术。因上述优点,与薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)显示器相比,OLED显示器更适合用于制备大尺寸、薄型、柔性、透明及双面显示的显示器。其中主动矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode,AMOLED)相较于一般薄膜晶体管更具有厚度薄的优势,因此AMOLED成为有机发光二极管应用的重点技术。
如图1所示,驱动AMOLED的基础驱动电路10是由两个薄膜晶体管(T1与T2)及一个存储电容Cst所组成,薄膜晶体管T1为开关晶体管,薄膜晶体管T1的栅极接入SCAN信号,源极接入数据信号Data,当栅极接收到高电平的SCAN信号时,薄膜晶体管T1导通数据信号Data。薄膜晶体管T2为驱动晶体管,提供给有机发光二极管OLED的电流由薄膜晶体管T2控制,薄膜晶体管T2的源极接入电压源VDD,薄膜晶体管T2的栅极与薄膜晶体管T1的漏极相连,因此当薄膜晶体管T1导通数据信号Data,薄膜晶体管T2也将被导通,此时流经有机发光二极管OLED的电流IOLED大小为IOLED=k(Vgs-Vth)2,其中k为薄膜晶体管T2的电流放大系数,k的数值由薄膜晶体管T2本身的特性决定,Vth为薄膜晶体管T2的阈值电压,Vgs为薄膜晶体管T2的栅极与源极之间的电压差。由于薄膜晶体管T2的阈值电压容易漂移使得有机发光二极管OLED的驱动电流不稳定而影响OLED面板的显示品质,因此需要阈值电压补偿电路来减少阈值电压飘移的现象。
图2所示为目前常见的7T1C像素补偿电路20,由7个晶体管T21-T27、一个存储电容Cst2组成。7T1C像素补偿电路20用于补偿有机发光二极管OLED,其中第一晶体管T21为驱动晶体管。第二晶体管T22、第三晶体管T23以及第七晶体管T27的栅极接入本级的扫描信号SCAN(n),第四晶体管T24的栅极接入上一级的扫描信号SCAN(n-1),第四晶体管T24的源极连接第二晶体管T22的源极,第四晶体管T24的漏极分别连接第七晶体管T27的源极与低电平Vi。
如图3所示,图3为图2中7T1C像素补偿电路20的时序图。7T1C像素补偿电路20的作用可分为复位阶段S1、补偿阶段S2与发光阶段S3。在复位阶段S1中,上一级的扫描信号SCAN(n-1)为低电平,本级的扫描信号SCAN(n)与发光信号EM为高电平,因此第四晶体管T24导通,使得第一晶体管T21的栅极复位为低电平Vi。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811489457.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光二极管显示器及其操作方法
- 下一篇:电压补偿方法及装置、显示装置