[发明专利]像素补偿电路及像素补偿方法有效

专利信息
申请号: 201811489457.8 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109473063B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 李骏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 像素 补偿 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种像素补偿电路,其特征在于,包含:

有机发光二极管,其阴极连接至第一参考电平;

第一晶体管,其源极连接至高电平以及数据信号,其漏极连接至所述有机发光二极管的阳极;

补偿晶体管,其源极与栅极连接至第二参考电平,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和;

存储电容,设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间;以及

第二晶体管,其栅极连接本级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极;

其中当所述本级扫描信号为低电平时,所述第二晶体管导通,使得所述第一晶体管的栅极与漏极短接;

所述像素补偿电路包含第四晶体管,其栅极连接至上一级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至第三参考电平,当所述上一级扫描信号为低电平时,所述第四晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的栅极,使所述第一晶体管栅极的电平复位至所述第三参考电平。

2.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第三晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,其源极连接至所述数据信号,其漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第三晶体管导通将所述数据信号传送至所述第一晶体管的源极。

3.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第五晶体管及第六晶体管,所述第五晶体管及所述第六晶体管的栅极接入发光信号,所述第五晶体管的源极连接至所述第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极,所述第六晶体管的源极连接至所述高电平,所述第六晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述发光信号为低电平时,所述第六晶体管导通将所述高电平传送至所述第一晶体管的源极,使所述有机发光二极管发光。

4.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第七晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第七晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的漏极。

5.一种像素补偿方法,其特征在于,包含:

将有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平;

将第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号,将所述第一晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极;

将补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,将补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和;

将存储电容设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间;以及

将第二晶体管的栅极连接本级扫描信号,将所述第二晶体管的源极连接至所述第一晶体管的栅极,将所述第二晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极;

其中当所述本级扫描信号为低电平时,所述第二晶体管导通,使得所述第一晶体管的栅极与漏极短接;

其包含将第四晶体管的栅极连接至上一级扫描信号,将所述第四晶体管的源极连接至所述第一晶体管的栅极,将所述第四晶体管的漏极连接至第三参考电平,当所述上一级扫描信号为低电平时,所述第四晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的栅极,使所述第一晶体管栅极的电平复位至所述第三参考电平。

6.如权利要求5所述的像素补偿方法,其特征在于,其包含将第三晶体管的栅极连接至所述本级扫描信号,将所述第三晶体管的源极连接至所述数据信号,将所述第三晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第三晶体管导通将所述数据信号传送至所述第一晶体管的源极。

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