[发明专利]一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片有效

专利信息
申请号: 201811479764.8 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109585625B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 何鹏;徐平 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/00
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 周晓艳;吴婷
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种透明导电膜,包括透明导电膜本体和铝膜层,铝膜层上具有微孔结构,应用本发明的技术方案,效果是:铝膜层具有微孔结构,且微孔结构包括纳米量级的孔,铝所具有的高反射性能结合纳米量级孔(形成纳米窗口),光会在纳米窗口两端来回震荡,与纳米窗口相匹配的波长的光得到了增强,从纳米孔中传播出去,另一方面在纳米孔的两端存在等离子体,产生区域电磁场,在纳米孔中震荡的电磁波还会被磁场放大,传出铝膜表面,整个透明导电膜的透射率得到增强,从而能够提高亮度。本发明还公开一种上述透明导电膜的制备方法,工艺步骤精简,工艺参数容易控制。本发明还公开一种LED芯片,包含外延片和上述透明导电膜,LED芯片的亮度高,电压低。
搜索关键词: 一种 透明 导电 制备 方法 led 芯片
【主权项】:
1.一种透明导电膜,其特征在于:包括透明导电膜本体(1)以及设置在所述透明导电膜本体(1)之上的具有微孔结构的铝膜层(2);所述微孔结构的孔径为纳米量级的孔。
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