[发明专利]一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片有效
| 申请号： | 201811479764.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109585625B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何鹏;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 周晓艳;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 制备 方法 led 芯片 | ||
1.一种透明导电膜，其特征在于：包括透明导电膜本体(1)以及设置在所述透明导电膜本体(1)之上的具有微孔结构的铝膜层(2)；
所述透明导电膜本体(1)为氧化铟锡膜层，其表面的平整度为0.2-20微米，致密性为1.8-1.9；
所述铝膜层(2)的厚度为
所述微孔结构的孔径为纳米量级的孔，所述微孔结构为在氧气氛围下进行退火得到，具体是：氧气浓度为5-50sccm，退火压力为3-10torr；升温速率为2分钟升到500-650℃，保温6min；自然降温到100-200℃。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述微孔结构的孔径为
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于：所述氧化铟锡膜层通过磁控溅射方式获得。
4.一种如权利要求1-3任意一项所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、制作透明导电膜本体(1)；
步骤二、在透明导电膜本体(1)上制作铝膜；
步骤三、在氧气氛围下进行退火，得到具有微孔结构的铝膜层(2)。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述铝膜通过蒸镀或溅射的方式获得，具体工艺参数是：蒸镀过程中分三段蒸镀，第一段蒸镀铝预熔功率为第二段蒸镀铝预熔功率为X2＝X，第三段蒸镀铝预熔功率为X3＝X1，其中X取值为30-50％。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述铝膜的厚度为
7.一种LED芯片，其特征在于：包括外延片以及设置在所述外延片上如权利要求1-3所述的透明导电膜。
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