[发明专利]一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片

说明书

本发明提供一种透明导电膜，包括透明导电膜本体和铝膜层，铝膜层上具有微孔结构，应用本发明的技术方案，效果是：铝膜层具有微孔结构，且微孔结构包括纳米量级的孔，铝所具有的高反射性能结合纳米量级孔(形成纳米窗口)，光会在纳米窗口两端来回震荡，与纳米窗口相匹配的波长的光得到了增强，从纳米孔中传播出去，另一方面在纳米孔的两端存在等离子体，产生区域电磁场，在纳米孔中震荡的电磁波还会被磁场放大，传出铝膜表面，整个透明导电膜的透射率得到增强，从而能够提高亮度。本发明还公开一种上述透明导电膜的制备方法，工艺步骤精简，工艺参数容易控制。本发明还公开一种LED芯片，包含外延片和上述透明导电膜，LED芯片的亮度高，电压低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别地，涉及一种透明导电膜、其制备方法及含此透明导电膜的LED芯片。

背景技术

面对越来越激烈的LED芯片行业市场竞争，提升芯片产品的竞争力则是我们的当务之急。而LED芯片亮度是LED芯片产品竞争力最重要的衡量指标，如何能在现有的基础上提升芯片亮度，是增加芯片竞争力永恒话题。

现有的提高芯片亮度的方法有：

专利号为201711435555.9的发明申请公开了一种异型低电压高亮度LED芯片的制备方法，包括：蓝宝石衬底层、成核层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；其中LED芯片的第一半导体层、发光层、第二半导体层按田字平均分成四个区，LED芯片中间蚀刻有第二半导体层的平台，在LED芯片第二半导体层平台上设置有一个第二电极。结构简单，简化了制备工艺，同时降低了电压、提高了亮度。

申请号为201720311338.8的实用新型专利提供了一种高亮度LED芯片结构，该高亮度LED芯片结构在厚度方向依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、量子阱层及P型GaN层，N型GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P型GaN层依次设置在上台阶部上方，下台阶部的N型GaN上直接设置有N区围坝结构，其中N区围坝结构中间区域设置有N电极、P型GaN层上设置有P电极，N区围坝结构为一端由N型GaN层的下台阶部封闭的空心的柱体状，且在其朝向P电极的一侧不留缺口或留有用于电流流出的缺口，围坝结构高度为0.7um-5um，且大于等于其所包围的N电极高度，N区围坝结构为含GaN的结构，其宽度为4um-40um。本实用新型的LED芯片增加了N区围坝结构，有利于提高芯片亮度。

专利号为201610325663.X的发明专利公开一种提升发光二极管芯片亮度的透明导电层制作方法，包括：通过干法刻蚀发光二极管芯片外延层；在外延层上制作氧化铟锡薄膜导电层；在氧化铟锡薄膜导电层上蒸镀厚度为5-10nm的镍层；对镍层进行退火处理，在氧化铟锡薄膜导电层表面上形成均匀分布的球状镍颗粒；利用球状镍颗粒为掩膜，刻蚀氧化铟锡薄膜导电层，在氧化铟锡薄膜导电层表面形成均匀的凹状矩形坑；去除球状镍颗粒；在氧化铟锡薄膜导电层上涂覆负性光刻胶，经过曝光、显影后露出电极区；采用电子束真空蒸镀法在电极区蒸镀金属电极；对金属电极进行剥离得到发光二极管芯片电极，去除负性光刻胶。本发明提升了光二极管芯片的亮度。

专利号为201810521075.2的发明申请提供了一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片及其制作方法，包括：衬底和位于衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极，外延结构包括依次设置于衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于透明导电层至少一侧表面的金属层，金属层的电阻率小于透明导电层的电阻率，因此，可以降低整个透明导电层的电阻率、从而可以增加电流的横向扩展效率、降低LED芯片的电压，进而可以在保证电压需求的基础上，进一步降低透明导电层的厚度，提高LED芯片的亮度。