[发明专利]晶体管电性测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201811477002.4 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109541427B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 马杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管电性测试结构，利用该结构对晶体管进行测试，以获取其电性性能参数，所述的测试结构为多个晶体管组成的阵列结构，包含n*m个晶体管。晶体管全部以并联形式连接，位于阵列中外围位置的晶体管还可选择地设为冗余晶体管。本发明还公开所述的晶体管电性测试结构的测试方法，对并联的栅极、源极、漏极进行标准的电性测试，通过相对较大的测试电流来提高测试精度。将大电流测试下得到的参数值对晶体管数量来做平均值，得到单只晶体管的电性参数，同时将位于阵列边缘的外围晶体管做为冗余管不计入测试数据，可以降低测试误差。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管电性测试结构，利用该结构对晶体管进行测试，以获取其电性性能参数，其特征在于：所述的测试结构为多个晶体管组成的阵列结构，包含n*m个晶体管。
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