[发明专利]晶体管电性测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种晶体管电性测试结构，利用该结构对晶体管进行测试，以获取其电性性能参数，其特征在于：所述的测试结构为多个晶体管组成的晶体管阵列，包含n*m个晶体管；

所述的晶体管阵列中，所有晶体管全部以并联形式连接，即所有晶体管的栅极为并联结构，所有晶体管的源极为并联结构，所有晶体管的漏极为并联结构；然后对并联的栅极、源极、漏极进行标准的电性测试，并对测试结果按照并联的晶体管数取平均值，即为平均每单只晶体管的电性参数；

所述的并联在一起的晶体管，形成一个等效的大晶体管，在通电测试时能增大测试电流，增大的测试电流能减小或消除测试因素对晶体管电性测试的影响；

所述的晶体管阵列中，位于晶体管阵列最外围的一圈晶体管作为冗余晶体管，用于消除由于工艺造成的边缘和中心位置晶体管的电性差异，不参与电性测试；除作为冗余晶体管外的晶体管阵列中的其他晶体管，能依据需要选取全部或部分晶体管来进行测试。

2.如权利要求1所述的晶体管电性测试结构，其特征在于：所述的由n*m个晶体管构成的晶体管阵列，其中，n≥3，m≥3。

3.如权利要求1所述的晶体管电性测试结构，其特征在于：所述的晶体管阵列，位于晶体管阵列中外围位置的晶体管可选择性地设为冗余晶体管。

4.如权利要求3所述的晶体管电性测试结构，其特征在于：以位于晶体管阵列中最外围的一圈晶体管作为冗余晶体管，每行及每列从晶体管阵列最外围向内不少于一个晶体管。

5.如权利要求1～4任一项所述的晶体管电性测试结构，其特征在于：所述的晶体管为MOS管。