[发明专利]沟槽型功率器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811467502.X | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111261702A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 肖婷;史波;曾丹;廖勇波;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 廉振保 |
| 地址： | 519070 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型功率器件及其形成方法，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅‑填充金属层‑多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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