[发明专利]沟槽型功率器件及其形成方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率器件，其特征在于，包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述元胞包括形成在所述多晶硅层与所述元胞沟槽侧壁之间的绝缘栅氧化层；以及形成在所述多晶硅层和所述填充金属层之间的绝缘氧化层。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述填充金属层与源极金属层或漏极金属层直接接触。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述元胞设置在半导体基板内，所述元胞包括与所述半导体基板导电类型相同和/或不同的掺杂区，所述掺杂区通过金属材料层与源极金属层或漏极金属层连接。

5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述金属材料层与所述填充金属层绝缘间隔。

6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述金属材料层与所述填充金属层之间通过绝缘栅氧化层绝缘设置。

7.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述金属材料层与所述填充金属层的材质相同，均为金属钨。

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述元胞设置在半导体基板内，所述元胞沟槽的底部与所述半导体基板之间形成有阱区，且所述填充金属层与所述阱区之间绝缘设置。

9.一种沟槽型功率器件的形成方法，所述器件包括有若干个元胞，其特征在于，形成所述元胞包括以下步骤：

刻蚀形成元胞沟槽；

在所述元胞沟槽的内壁上生长绝缘栅氧化层；

在所述绝缘栅氧化层上，所述元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上，形成包覆所述多晶硅层的绝缘氧化层；

在所述绝缘氧化层上形成填充金属层，充满所述元胞沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述元胞的步骤中，在生长绝缘栅氧化层之前，还包括对元胞沟槽底壁进行离子注入，以形成阱区。