[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置

摘要

本申请涉及一种薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置，该薄膜晶体管结构的制作方法包括：提供一基板，并在基板上形成栅极；在基板上形成覆盖栅极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积有源层、掺杂层，并进行光刻处理；在掺杂层上沉积第二金属层，并进行光刻、湿法刻蚀处理得到第一凹槽，第二金属层被第一凹槽间隔成源极、漏极；对有源层、掺杂层进行干法刻蚀处理，得到与第一凹槽对应的第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽形成沟道区；将沟道区置于预设的气体氛围中进行加热处理；其中，将所述沟道区置于氮气的气氛中加热第一预设时间，在氮气和氨气的混合气氛中加热第二预设时间，在氨气的气氛中加热第三预设时间。本申请可减小TFT的阈值电压偏移。

主权项

1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上依次沉积有源层、掺杂层；对所述有源层、掺杂层进行光刻处理；在所述掺杂层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行光刻、湿法刻蚀处理，得到一位于所述第二金属层中部、并贯穿所述第二金属层的第一凹槽，所述第二金属层被所述第一凹槽间隔成源极、漏极；以所述源极、漏极为刻蚀阻挡层，对所述有源层、掺杂层进行干法刻蚀处理，得到与所述第一凹槽对应的第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述第一凹槽与所述第二凹槽形成沟道区；将所述沟道区置于预设的气体氛围中进行加热处理；其中，先对所述沟道区加热第一预设时间，然后置于氮气的气氛中加热第二预设时间，最后置于氨气的气氛中加热第三预设时间；或先对所述沟道区加热第四预设时间，最后置于氨气的气氛中加热第五预设时间。