[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；

在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上依次沉积有源层、掺杂层；

对所述有源层、掺杂层进行光刻处理；

在所述掺杂层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行光刻、湿法刻蚀处理，得到一位于所述第二金属层中部、并贯穿所述第二金属层的第一凹槽，所述第二金属层被所述第一凹槽间隔成源极、漏极；

以所述源极、漏极为刻蚀阻挡层，对所述有源层、掺杂层进行干法刻蚀处理，得到与所述第一凹槽对应的第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述第一凹槽与所述第二凹槽形成沟道区；

将所述沟道区置于预设的气体氛围中进行加热处理；其中，先对所述沟道区加热第一预设时间，然后置于氮气的气氛中加热第二预设时间，最后置于氨气的气氛中加热第三预设时间；或

先对所述沟道区加热第四预设时间，最后置于氨气的气氛中加热第五预设时间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，沉积所述掺杂层时，采用增加沉积气体总体积的方式进行沉积，其中，总体积的基准范围为41200sccm-43200sccm；当总体积增加100％时，沉积气体中PH₃和SiH₄的气体流量比为1.8-4.5；当总体积增加150％时，沉积气体中PH₃和SiH₄的气体流量比为2-6。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，在加热温度275℃-285℃之下,所述第一预设时间为0s-50s，所述第二预设时间为0s-20s，所述第三预设时间为0s-20s，所述第四预设时间为0s-50s，所述第五预设时间为0s-20s。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于，所述沉积栅极绝缘层分为第一速率沉积、第二速率沉积和第三速率沉积；其中，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减。

5.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，使用如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管结构的制作方法进行制造，所述薄膜晶体管结构包括：

基板；

栅极，形成于所述基板上；

栅极绝缘层，形成所述基板上，其中，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

掺杂层，形成于所述有源层上；及

形成于所述掺杂层上的源极与漏极；

其中，一沟道区位于所述掺杂层的中部，所述沟道区贯穿所述掺杂层、并部分贯穿至所述有源层，所述源极与漏极位于所述沟道区的两侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述栅极的厚度范围为3000埃-5000埃。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述有源层的厚度范围为550埃-700埃。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述源极的厚度范围为3500埃-5000埃；所述漏极的厚度范围为3500埃-5000埃。

9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度范围为3500埃-4000埃。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-9任一项所述的薄膜晶体管结构。