[发明专利]一种检测氰离子的可视化比率荧光体系及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201811460195.2 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109342384B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 汪晶;李大权;黄亮;胡军 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;C09K11/88;C09K11/06;C09K11/02
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 周红芳
地址: 310014 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种检测氰离子的可视化比率荧光体系及其制备方法和应用,所述可视化比率荧光体系包括N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点、碳点、铜离子和磷酸盐缓冲液;所述可视化比率荧光体系中,铜离子浓度为0.7~1.2μmol/L,N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点浓度为20 nmol/L,在测试体系中,碳点的荧光强度与被铜离子猝灭的N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点的荧光峰强度之比为25~35:1;所述可视化比率荧光体系的pH值为7~8.8。本发明所述的比率荧光系统制备简便且廉价,对氰离子具有很好的选择性和灵敏度,具有宽的线性范围,极低的检测限。
搜索关键词: 一种 检测 离子 可视化 比率 荧光 体系 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种检测氰离子的可视化比率荧光体系,其特征在于包括N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点、碳点、铜离子和磷酸盐缓冲液;所述可视化比率荧光体系中,铜离子浓度为0.7~1.2μmol/L,N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点浓度为20 nmol/L,在测试体系中,碳点的荧光强度与被铜离子猝灭的N‑乙酰‑L‑半胱氨酸修饰的CdTe量子点的荧光峰强度之比为25~35 : 1;所述可视化比率荧光体系的pH值为7~8.8。
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