[发明专利]电流镜电路

摘要

本发明公开了一种电流镜电路，属于集成电路领域。所述电流镜电路采用第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3以及第四PMOS管MP4构成电流镜钳位电路300，并且结合匹配电阻R1和R2，消除沟道长度调制效应在第二PMOS管MP和三PMOS管MP3镜像MN1电流(即输入电流I1)时造成的误差提高电流镜精度；解决了相关技术中通过采用共源共栅或增益提高等技术增加电流镜的输出阻抗以提高其镜像精度，造成的电流镜电路的输出摆幅受限和静态功耗增加的问题；达到了提高电流镜电路的电流镜精度的效果。

主权项

1.一种电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路包括输入电流源(I1)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第一匹配电阻(R1)以及第二匹配电阻(R2)，其中：所述输入电流源(I1)的正极与供电电源(VDD)电连接，所述输入电流源(I1)的负极与所述第一NMOS管(MN1)的漏极电连接，所述第一NMOS管(MN1)的漏极、栅极电连接，所述第一NMOS管(MN1)的源极接地(GND)；所述第二NMOS管(MN2)的漏极与所述第一匹配电阻(R1)的第一端电连接，所述第二NMOS管(MN2)的栅极与所述第一NMOS管(MN1)的栅极电连接，所述第二NMOS管(MN2)的源极接地(GND)；所述第三NMOS管(MN3)的漏极与所述第二匹配电阻(R2)的第一端电连接，所述第三NMOS管(MN3)的栅极与所述第一NMOS管(MN1)的栅极电连接，所述第三NMOS管(MN3)的源极接地(GND)；所述第一PMOS管(MP1)的漏极与所述第三PMOS管(MP3)的源极电连接，所述第一PMOS管(MP1)的栅极与所述第二PMOS管(MP2)栅极电连接，所述第一PMOS管(MP1)的源极与所述供电电源(VDD)电连接；所述第二PMOS管(MP2)的漏极与所述第四PMOS管(MP4)的源极电连接，所述第二PMOS管(MP2)的栅极与所述第四PMOS管(MP4)的漏极电连接，所述第二PMOS管(MP2)的源极与所述供电电源(VDD)电连接；所述第三PMOS管(MP3)的漏极与所述第一匹配电阻(R1)的第二端电连接，所述第三PMOS管(MP3)的漏极、栅极电连接；所述第四PMOS管(MP4)的漏极与所述第二匹配电阻(R2)的第二端电连接，所述第四PMOS管(MP4)的栅极与所述第三PMOS管(MP3)的栅极电连接，所述第四PMOS管(MP4)的源极与所述第二PMOS管(MP2)漏极电连接；所述第一PMOS管(MP1)的漏极与所述电流镜电路的电流输出端电连接。