[发明专利]电流镜电路

说明书

本发明公开了一种电流镜电路，属于集成电路领域。所述电流镜电路采用第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3以及第四PMOS管MP4构成电流镜钳位电路300，并且结合匹配电阻R1和R2，消除沟道长度调制效应在第二PMOS管MP和三PMOS管MP3镜像MN1电流(即输入电流I₁)时造成的误差提高电流镜精度；解决了相关技术中通过采用共源共栅或增益提高等技术增加电流镜的输出阻抗以提高其镜像精度，造成的电流镜电路的输出摆幅受限和静态功耗增加的问题；达到了提高电流镜电路的电流镜精度的效果。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种电流镜电路。

背景技术

在集成电路的设计中，电流镜电路是一个非常重要的基本单元，其通常作为一个偏置或信号处理子模块存在于整个芯片中。

传统的电流镜电路的输出阻抗较小，技术人员考虑沟道长度调制效应，电流镜电路的镜像电流精度受输出电压影响较大，通常采用共源共栅或增益提高等技术增加电流镜的输出阻抗以提高其镜像精度。然而，但这两种解决方案都存在电流镜电路的输出摆幅受限和静态功耗增加的问题。

发明内容

为了解决相关技术中通过采用共源共栅或增益提高等技术增加电流镜的输出阻抗以提高其镜像精度，造成的电流镜电路的输出摆幅受限和静态功耗增加的问题，本发明实施例提供了一种电流镜电路。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种电流镜电路，所述电流镜电路包括输入电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一匹配电阻以及第二匹配电阻，其中：

所述输入电流源的正极与供电电源电连接，所述输入电流源的负极与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的漏极、栅极电连接，所述第一NMOS管的源极接地；

所述第二NMOS管的漏极与所述第一匹配电阻的第一端电连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的源极接地；

所述第三NMOS管的漏极与所述第二匹配电阻的第一端电连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极电连接，所述第三NMOS管的源极接地；

所述第一PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极电连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管栅极电连接，所述第一PMOS管的源极与所述供电电源电连接；

所述第二PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极电连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的漏极电连接，所述第二PMOS管的源极与所述供电电源电连接；

所述第三PMOS管的漏极与所述第一匹配电阻的第二端电连接，所述第三PMOS管的漏极、栅极电连接；

所述第四PMOS管的漏极与所述第二匹配电阻的第二端电连接，所述第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极电连接，所述第四PMOS管的源极与所述第二PMOS管漏极电连接；

所述第一PMOS管的漏极与所述电流镜电路的电流输出端电连接。

可选的，所述电流镜电路还包括第五PMOS管，其中：

所述第五PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极电连接，所述第五PMOS管的栅极与所述第二匹配电阻的第二端电连接，所述第五PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的电流输出端电连接。

可选的，所述第一PMOS管的漏极作为所述电流镜电路的电流输出端。

可选的，系统供电电压、第二NMOS管的栅源压差以及第二PMOS管MP2源栅压差之间的数值关系满足第一公式，所述第一公式为：