[发明专利]一种量子点发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201811420343.8 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111224018B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管的制备方法，所述量子点发光二极管为正型器件，方法包括步骤：提供阳极；在所述阳极表面形成空穴功能层；在所述空穴功能层表面形成一层短链配体化合物；在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层。本发明不但可以获得稳定的量子点，且可以大大提高电子/空穴对在激子中的复合，提高器件效率。同时，本发明配体交换方法具有步骤简单、操作时间短、且能有效的避免对其他膜层的影响等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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