[发明专利]一种量子点发光二极管的制备方法有效
| 申请号: | 201811420343.8 | 申请日: | 2018-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN111224018B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 聂志文;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
本发明公开一种量子点发光二极管的制备方法,所述量子点发光二极管为正型器件,方法包括步骤:提供阳极;在所述阳极表面形成空穴功能层;在所述空穴功能层表面形成一层短链配体化合物;在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层。本发明不但可以获得稳定的量子点,且可以大大提高电子/空穴对在激子中的复合,提高器件效率。同时,本发明配体交换方法具有步骤简单、操作时间短、且能有效的避免对其他膜层的影响等优点。
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域,尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
背景技术
量子点是一种由一定数量的原子组成的尺寸通常在1~10 nm、一般为球形的半导体纳米晶体,其元素组成一般为II-VI族或III-V族元素。量子点的尺寸小于或接近其相应体相材料的激子波尔半径,具有明显的量子点限域效应,从而表现为优异的光学性能。
量子点发光二极管是一种借鉴有机发光二极管的器件结构之上发展起来的一种新型显示技术。两者间的相似之处在于其发光原理相近,即:在电流的激发下,电子/空穴对通过电子/空穴传输层注入发光层,电子和空穴在发光层中发生复合产生光子,光子以光能的形式释放能量,从而发光。两者间的差别在于发光层所使用的材料不同,有机发光二极管的发光层使用的是磷光材料,而量子点发光二极管的发光层所使用的是量子点材料。与有机发光二极管相比,量子点发光二极管具有成本低、峰宽窄、色域宽,色彩饱和度高等优点,且可采用印刷的方式来制备,更加适合大尺寸显示器的生产。
近年来,量子点发光二极管器件性能取得了非常快速的发展,尤其是红绿器件的效率和寿命指标已趋于商业化应用。对于器件性能的提升,量子点表面配体的优化起了很重要的作用。目前,量子点发光二极管器件制备过程中所使用的量子点在合成的过程中通常会使用长链配体,这些长链的配体对稳定量子点的合成具有重要作用,但是在器件制备方面会产生一些不利影响。在量子点发光二极管器件中,量子点表面的长链配体由于自身具有绝缘性,会阻碍载流子的传输性能。同时,量子点表面长链配体会增加量子点间的距离,影响了量子点间的价电传输。因此,量子点表面的配体对高性能的量子点发光二极管器件的开发具有非常重要的作用。目前,实现量子点表面配体交换的方式主要有两种。第一种方式是:将量子点溶解在合适的有机溶剂中,然后加入所需的配体进行交换即可。该种交换方法不仅时间长、效率低、且交换后的量子点极不稳定,容易发生聚集、沉淀。第二种方式是:将量子点在量子点发光二极管器件中制备成膜后,将薄膜浸入到新的配体溶液中即可。该种方法最大的弊端在于在进行配体交换的同时会对其他膜层产生一些不利的影响。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法,旨在解决现有配体后的量子点容易产生聚集、沉淀,或者配体交换时对其他膜层产生不利影响的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点发光二极管的制备方法,所述量子点发光二极管为正型器件,其中,包括步骤:
提供阳极;
在所述阳极表面形成空穴功能层;
在所述空穴功能层表面形成一层短链配体化合物;
在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层。
一种量子点发光二极管的制备方法,所述量子点发光二极管为反型器件,其中,包括步骤:
提供阴极;
在所述阴极表面形成电子功能层;
在所述电子功能层表面形成一层短链配体化合物;
在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





