[发明专利]一种量子点发光二极管的制备方法有效
| 申请号: | 201811420343.8 | 申请日: | 2018-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN111224018B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 聂志文;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管的制备方法,所述量子点发光二极管为正型器件,其特征在于,包括步骤:
提供阳极;
在所述阳极表面形成空穴功能层;
在所述空穴功能层表面形成一层短链配体化合物;
在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层;
在所述量子点发光层表面形成一层长链配体化合物;
所述短链配体化合物选自主链碳原子数小于8的硫醇、硫酚、含硫的盐、碳原子数为2-10的有机胺和卤化物中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,采用真空蒸镀的方法在所述空穴功能层表面沉积一层短链配体化合物。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,采用真空蒸镀的方法在所述量子点发光层表面沉积一层长链配体化合物。
4.根据权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述采用真空蒸镀的方法在所述空穴功能层表面沉积一层短链配体化合物的条件:蒸镀的温度为50-200℃,和/或蒸镀的时间为1-60 min。
5.根据权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述采用真空蒸镀的方法在所述量子点发光层表面沉积一层长链配体化合物的条件:蒸镀的温度为50-200℃,和/或蒸镀的时间为1-60 min。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述主链碳原子数小于8的硫醇选自3-巯基丙酸、巯基乙醇、巯基己醇、丙二硫醇、2-巯基-3丁醇、1,2-乙烷二硫醇、1,6-己二硫醇、1,4-二巯基-2,3-丁二醇、6-巯基己醇、半胱氨酸、丙烷-1,2,3-三硫醇和2,3-二巯基-1-丙硫醇中的一种或多种;和/或
所述硫酚选自苯硫醇、1,2-苯二硫醇、1,3-苯二硫醇和1,4-苯二硫醇中的一种或多种;和/或
所述含硫的盐包括硫氰酸铵、硫化铵、二硫代氨基甲酸酯和二硫代氨基甲酸锌中的一种或多种;和/或
所述碳原子数为2-10的有机胺选自正辛胺、癸胺、1,2-乙二胺和二乙氨基乙醇中的一种或多种;和/或
所述卤化物选自NH4F、NH4Cl、NH4Br、LiF、KF、NaF、BeF2、MgF2、CaF2、AlF3、InF3、LiCl、NaCl、MgCl2、CaCl2、ZnCl2、AlCl3、GaCl3、InCl3、LiBr、NaBr、MgBr2、CaBr2、ZnBr2、AlBr3、GaBr3、InBr3、LiI、NaI、MgI2、CaI2、ZnI2、GaI3、InI3、碘化四丁基铵、溴化四丁基铵、氯化四丁基铵和氟化四丁基铵中的一种或多种。
7.根据权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述长链配体化合物选自主链碳原子数大于等于8的硫醇和含氨基的聚合物中的一种或两种。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述主链碳原子数大于等于8的硫醇选自辛基硫醇、十二烷基硫醇、叔-十二硫醇、1,8-辛二硫醇11-巯基十一醇、11-巯基十一烷酸、1 ,8-二巯基-3 ,6-二硫杂辛烷、6,8-二巯基辛酸、十二烷基硫醇锌聚合物和三聚硫氰酸中的一种或多种;和/或
所述含氨基的聚合物选自聚(酰氨基胺)树枝状大分子、聚醚胺和氨基硅酮中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





