[发明专利]存储器装置和存储器系统有效
| 申请号： | 201811408051.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN110021333B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李墉焌;罗太熙;林菜昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括多个非易失性存储器单元；写/读电路，其被构造为执行写操作以将写数据写入所述存储器单元阵列的目标页中，被构造为通过将从所述目标页读取的读数据与所述写数据进行比较来验证所述写操作，并且被构造为基于比较结果输出指示所述写操作的通过和失败之一的通过/失败信号；控制电路，其被构造为控制所述写/读电路，并且被构造为响应于所述通过/失败信号选择性地输出所述目标页的访问地址作为失败地址；以及反熔丝阵列，在所述反熔丝阵列中，所述失败地址被编程，所述反熔丝阵列被构造为输出替代所述失败地址的修复地址。
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