[发明专利]存储器装置和存储器系统

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

存储器单元阵列，其包括多个非易失性存储器单元；

写/读电路，其被构造为执行写操作以将写数据写入所述存储器单元阵列的目标页中，被构造为通过将从所述目标页读取的读数据与所述写数据进行比较来验证所述写操作，并且被构造为基于比较结果输出指示所述写操作的通过和失败之一的通过/失败信号；

控制电路，其被构造为控制所述写/读电路，并且被构造为响应于所述通过/失败信号选择性地输出所述目标页的访问地址作为失败地址，还被构造为当指示所述访问地址的行访问数量的计数值超过参考值时输出替代所述访问地址的替换地址；以及

反熔丝阵列，在所述反熔丝阵列中，所述失败地址被编程，所述反熔丝阵列被构造为输出替代所述失败地址的修复地址。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路被构造为响应于指示所述写操作失败的通过/失败信号，输出所述访问地址作为所述失败地址，并且被构造为控制所述反熔丝阵列输出所述修复地址。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路被构造为控制所述写/读电路，以将所述写数据再次写入由所述修复地址指定的冗余页。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述非易失性存储器单元中的每一个具有表示存储的数据的可编程电阻。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述写/读电路包括：

写缓冲器，其被构造为存储所述写数据；

写驱动器，其连接至所述写缓冲器，所述写驱动器被构造为将所述写数据写入所述目标页中；

读出放大器，其被构造为从所述目标页中感测所述读数据；

页缓冲器，其被构造为从所述读出放大器接收所述读数据，以存储所述读数据；以及

验证电路，其连接至所述写缓冲器和所述页缓冲器，所述验证电路被构造为将所述读数据与所述写数据的对应位进行比较，并且被构造为基于比较结果输出所述通过/失败信号。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述验证电路包括：

第一比较器电路，其被构造为将所述写数据的第一p个数据位与所述读数据的第二p个数据位的对应位进行比较，以输出比较信号，p是大于一的自然数；以及

第二比较器电路，其被构造为将所述比较信号的各自具有第一逻辑电平的第一位的第一数量与参考数量进行比较，以基于比较结果输出所述通过/失败信号。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第一比较器电路包括多个异或门，并且所述多个异或门中的每一个将所述写数据的第一p个数据位与所述读数据的第二p个数据位的对应位进行比较，以输出所述比较信号的对应位。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第二比较器电路被构造为当所述第一位的第一数量大于所述参考数量时输出指示所述写操作失败的通过/失败信号。

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第二比较器电路被构造为当所述第一位的第一数量小于或等于所述参考数量时输出指示所述写操作通过的通过/失败信号。

10.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述控制电路被构造为控制所述页缓冲器，以防止当通过/失败信号指示所述写操作失败时所述读数据被输出至所述存储器装置外部。