[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811397489.5 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109659414B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;戴广超;马非凡;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/42;H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。本发明可提高芯片可靠性和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。
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