[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。本发明可提高芯片可靠性和亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED的心脏是一个半导体的晶片，称为LED芯片。LED芯片按照封装方式的不同，可以划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。与传统正装结构芯片相比，倒装结构芯片在封装过程中不需要焊接金线，可以大电流驱动，芯片热阻较低，可靠性较高，因此倒装结构芯片在普通照明、背光、闪光灯、车用照明灯领域都有非常好的应用，并且越来越受到客户的青睐，应用范围也在不断的扩大。

现有的倒装结构芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘反射层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘。N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽。N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。绝缘反射层铺设在P型半导体层上和凹槽内，绝缘反射层上设有延伸至N型电极的第一通孔和延伸至P型电极的第二通孔。N型焊盘和P型焊盘间隔设置在绝缘层上，N型焊盘通过第一通孔与N型电极连接，P型焊盘通过第二通孔与P型电极连接。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

绝缘反射层通常采用由两种氧化物薄膜交替层叠而成的分布式布拉格反射器(英文：Distributed Bragg Reflection，简称：DBR)实现。为了达到较高的反射率以提高芯片的发光亮度，绝缘反射层中氧化物薄膜的数量一般较多(100个以上)，导致绝缘反射层整体较厚(4μm以上)，芯片的热阻较高，不利于倒装LED芯片的应用。

发明内容

本发明实施例提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，能够解决现有技术芯片的热阻较高，不利于倒装LED芯片的应用的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；

所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；

所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。

可选地，所述绝缘层的厚度为100nm～3000nm。

可选地，所述绝缘层由两种氧化物薄膜交替层叠而成，所述氧化物薄膜的数量小于60个。

优选地，所述氧化物薄膜的数量为4个～20个。

优选地，所述氧化物薄膜的材料采用二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌或者五氧化二钽。