[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、N型焊盘、P型焊盘、绝缘层和金属反射层；

所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；

所述绝缘层设置在所述P型半导体层上和所述凹槽内，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有密封腔体；所述金属反射层设置在所述密封腔体内；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接；

所述金属反射层包括依次层叠的反射层和覆盖层，所述反射层的材料采用银或者铝，所述覆盖层的材料采用钛钨合金、铂或者金；

所述绝缘层采用两种氧化物薄膜交替层叠而成的DBR，所述DBR与所述金属反射层组成ODR；所述氧化物薄膜的数量为4个～20个，所述绝缘层的厚度为100nm～3000nm，所述金属反射层的厚度为100nm～2000nm。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述氧化物薄膜的材料采用二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、五氧化二铌或者五氧化二钽。

3.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在所述P型半导体层上形成P型电极；

在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层；所述金属反射层包括依次层叠的反射层和覆盖层，所述反射层的材料采用银或者铝，所述覆盖层的材料采用钛钨合金、铂或者金；所述绝缘层采用两种氧化物薄膜交替层叠而成的DBR，所述DBR与所述金属反射层组成ODR；所述氧化物薄膜的数量为4个～20个，所述绝缘层的厚度为100nm～3000nm，所述金属反射层的厚度为100nm～2000nm；

在所述绝缘层上设置N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘通过所述第一通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第二通孔与所述P型电极连接。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型半导体层上和所述凹槽内形成绝缘层，所述绝缘层上设有延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，所述绝缘层内设有金属反射层，包括：

在所述凹槽内、所述N型电极上、所述P型电极上和所述P型半导体层上铺设绝缘材料；

在所述绝缘材料上形成金属反射层；

在所述金属反射层和所述金属反射层之间的绝缘材料上再次铺设绝缘材料，所述绝缘材料将所述金属反射层包裹在内部；

在所述绝缘材料上开设延伸至所述N型电极的第一通孔和延伸至所述P型电极的第二通孔，形成绝缘层。