[发明专利]半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法有效
| 申请号： | 201811384953.7 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199951B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 315899 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法，包括：提供第一基底，在第一基底上形成多个对位标记，切割第一基底，形成多个用于对位的对位晶粒，每个对位晶粒包括切割后的第一基底以及形成于切割后的第一基底上的至少一个对位标记，提供一需要对位的第二基底，并在第二基底上形成键合薄膜，采用晶粒贴附工艺将对位晶粒贴附于第二基底的对位区域的键合薄膜上。本发明在将对位晶粒贴附于第二基底之前，在第二基底上形成键合薄膜，对位晶粒形成于键合薄膜之上，从而避免对所述键合薄膜的切割，节省了工艺步骤，并节省了键合薄膜，同时提高了第二基底的可用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 对位 标记 | ||
【主权项】：
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