[发明专利]半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一基底，并在所述第一基底上形成多个对位标记；

切割所述第一基底，以形成多个用于对位的对位晶粒，每个所述对位晶粒包括切割后的第一基底以及形成于所述切割后的第一基底上的至少一个对位标记；

提供一需要对位的第二基底，并在所述第二基底上形成键合薄膜；

采用晶粒贴附工艺将所述对位晶粒贴附于所述第二基底的对位区域的所述键合薄膜上。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：将所述第二基底贴附有所述对位晶粒的一面与一第三基底进行对位与键合。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述键合为临时键合，所述第二基底与所述第三基底分离之后，能够再次在所述第二基底上形成键合薄膜并贴附对位晶粒以进行对位与键合。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第二基底贴附有所述对位晶粒的一面上粘贴芯片。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述晶粒贴附工艺包括：将所述对位晶粒放置于所述第二基底的对位区域的所述键合薄膜上并施加压力。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，施加的压力为0.1N～5N，施加压力时的温度为23℃～80℃，施加压力的时间为0.1s～5s。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一基底为半导体材料基底；所述键合薄膜的材料为：热塑或热固型有机材料，含有铜、镍、铬或钴成分的无机材料，粘片膜或干膜。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一基底上形成多个对位标记的方法包括：

依次形成遮光层与第一光刻胶层在所述第一基底上；

图形化所述第一光刻胶层；

以图形化的所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述遮光层，以形成多个对位标记；

去除图形化的所述第一光刻胶层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，切割道与所述对位标记在同一工艺过程中形成；刻蚀所述遮光层以形成多个对位标记的过程中，同时刻蚀切割道区域内的所述遮光层，形成凹槽以构成切割道。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述对位标记之前或之后，还包括：

形成第二光刻胶层在所述第一基底上；

图形化所述第二光刻胶层，暴露出切割道区域内的所述第一基底；

以图形化的所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一基底，形成凹槽以构成切割道；

去除图形化的所述第二光刻胶层。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二基底上设置有至少两个对位区域，两个所述对位区域位于所述第二基底的相对两侧。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对位晶粒的贴附精度小于等于3μm。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对位标记的形状包含：十字型、米字型、圆形、椭圆形、长方形、正方形中的一种或多种。

14.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述对位标记的最大尺寸介于0.5mm*0.5mm～10mm*10mm之间。