[发明专利]半导体器件中的不对称的源极和漏极结构有效
| 申请号： | 201811381368.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109994541B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;王鹏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了具有不对称的源极/漏极结构的半导体器件和形成方法。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构、位于衬底上的第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构、以及分别位于第一组鳍结构和第二组鳍结构上方的第一栅极结构和第二栅极结构，第一组源极/漏极结构和第二组源极/漏极结构分别靠近第一栅极结构和第二栅极结构，其中，位于第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构具有第一垂直高度的第一源极/漏极结构，其中，第一垂直高度不同于位于第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构的第二源极/漏极结构的第二垂直高度。本发明实施例涉及半导体器件中的不对称的源极和漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 不对称 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一组源极/漏极结构，位于衬底上的第一组鳍结构上；第二组源极/漏极结构，位于所述衬底上的第二组鳍结构上；以及第一栅极结构和第二栅极结构，分别位于所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构上方，所述第一组源极/漏极结构和所述第二组源极/漏极结构分别靠近所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，其中，位于所述第一组鳍结构上的所述第一组源极/漏极结构具有第一垂直高度的第一源极/漏极结构，其中，所述第一垂直高度不同于位于所述第二组鳍结构上的所述第二组源极/漏极结构的第二源极/漏极结构的第二垂直高度。
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