[发明专利]半导体器件中的不对称的源极和漏极结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一组源极/漏极结构，位于衬底上的第一组鳍结构上；

第二组源极/漏极结构，位于所述衬底上的第二组鳍结构上；以及

第一栅极结构和第二栅极结构，分别位于所述第一组鳍结构和所述第二组鳍结构上方，所述第一组源极/漏极结构和所述第二组源极/漏极结构分别靠近所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，其中，位于所述第一组鳍结构上的所述第一组源极/漏极结构具有第一垂直高度的第一源极/漏极结构，其中，所述第一垂直高度不同于位于所述第二组鳍结构上的所述第二组源极/漏极结构的第二源极/漏极结构的第二垂直高度；

第三源极/漏极结构，具有比所述第一源极/漏极结构的所述第一垂直高度更小的第三垂直高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

所述第一垂直高度控制在20nm至80nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二组源极/漏极结构还包括：

第四源极/漏极结构，具有比所述第二源极/漏极结构的所述第二垂直高度更小的第四垂直高度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三源极/漏极结构的所述第三垂直高度小于所述第四源极/漏极结构的所述第四垂直高度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

第一台阶高度，限定在所述第一垂直高度和所述第三垂直高度之间；以及

第二台阶高度，限定在所述第二垂直高度和所述第四垂直高度之间，其中，所述第一台阶高度比所述第二台阶高度高至少5％。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

第一金属硅化物层，位于所述第三源极/漏极结构上；以及

第二金属硅化物层，位于所述第四源极/漏极结构上，其中，所述第一金属硅化物层的接触表面积大于所述第二金属硅化物层的接触表面积。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

第一导电部件和第二导电部件，分别形成在所述第一金属硅化物层和所述第二金属硅化物层上。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三源极/漏极结构的表面积大于所述第四源极/漏极结构的表面积。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极结构的所述第一垂直高度比所述第二源极/漏极结构的所述第二垂直高度大8％至20％。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一组源极/漏极结构包括n型外延材料，并且所述第二组源极/漏极结构包括p型外延材料。