[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201811368873.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109545844A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 程鸿飞;许晨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括同层设置的第一沟道区域和第二沟道区域，由于第一沟道区域的导电率大于第二沟道区域的导电率，导电率较高的第一沟道区域可以确保驱动电流的大小；并且源电极和漏电极不与第一沟道区域直接接触，设置在源电极或漏电极与第一沟道区域之间的第二沟道区域由于具有较低的导电率，可以降低漏电流的大小，从而提升显示器件的对比度等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区域 导电率 薄膜晶体管 显示装置 阵列基板 漏电极 源电极 制备 驱动电流 同层设置 显示器件 漏电流 源层 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。
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