[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括同层设置的第一沟道区域和第二沟道区域，由于第一沟道区域的导电率大于第二沟道区域的导电率，导电率较高的第一沟道区域可以确保驱动电流的大小；并且源电极和漏电极不与第一沟道区域直接接触，设置在源电极或漏电极与第一沟道区域之间的第二沟道区域由于具有较低的导电率，可以降低漏电流的大小，从而提升显示器件的对比度等性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

基于薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的显示器件是目前主流的显示产品，随着智能手机、电视的普及市场需求越来越大。显示器件的阵列基板通常包括多个薄膜晶体管，为了提升显示器件的性能，近年来各大面板厂商都在不断改进薄膜晶体管的材料或结构。

薄膜晶体管包括有源层，现有技术中的有源层材料多为非晶硅a-si或多晶硅p-si。然而，有源层为a-si的TFT驱动电流不够大，有源层为p-si的TFT驱动电流够大，但漏电流也比较大，造成显示器件的性能下降。

发明内容

本发明提供及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，以提升显示器件的性能。

为了解决上述问题，本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：

基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；

设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；

其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。

可选地，所述第二沟道区域还包括导通区域，所述半导体区域位于所述导通区域与所述第一沟道区域之间，所述源电极在所述基板上的正投影和所述漏电极在所述基板上的正投影覆盖所述导通区域在所述基板上的正投影。

可选地，所述第一沟道区域的材料为多晶硅，所述半导体区域的材料为非晶硅，所述导通区域的材料为n+非晶硅。

可选地，所述基板包括衬底，设置在所述衬底上的栅极，以及设置在所述栅极和所述衬底上的栅极绝缘层，所述栅极在所述衬底上的正投影分别与所述源电极在所述衬底上的正投影以及所述漏电极在所述衬底上的正投影交叠。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板，所述阵列基板包括任一实施例所述的薄膜晶体管。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，所述显示装置包括任一实施例所述的阵列基板。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；

在所述第二沟道区域背离所述基板的一侧形成源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；

其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。

可选地，所述在所述基板上形成有源层的步骤，包括：

在所述基板上图案化形成非晶硅层；