[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；

设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；

其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二沟道区域还包括导通区域，所述半导体区域位于所述导通区域与所述第一沟道区域之间，所述源电极在所述基板上的正投影和所述漏电极在所述基板上的正投影覆盖所述导通区域在所述基板上的正投影。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟道区域的材料为多晶硅，所述半导体区域的材料为非晶硅，所述导通区域的材料为n+非晶硅。

4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板包括衬底，设置在所述衬底上的栅极，以及设置在所述栅极和所述衬底上的栅极绝缘层，所述栅极在所述衬底上的正投影分别与所述源电极在所述衬底上的正投影以及所述漏电极在所述衬底上的正投影交叠。

5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求5所述的阵列基板。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；

在所述第二沟道区域背离所述基板的一侧形成源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；

其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成有源层的步骤，包括：

在所述基板上图案化形成非晶硅层；

采用具有微透镜的掩膜版对所述非晶硅层的中间区域进行照射，使中间区域的非晶硅晶化为多晶硅，形成所述第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域外围的所述第二沟道区域。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成有源层的步骤，还包括：

在所述第一沟道区域以及所述第二沟道区域背离所述基板的一侧图案化形成光阻层，所述光阻层具有开口区域；

通过所述开口区域将负离子注入所述第二沟道区域，形成导通区域和所述半导体区域，所述半导体区域位于所述导通区域与所述第一沟道区域之间；

剥离所述光阻层；

所述源电极和所述漏电极形成在所述导通区域和所述半导体区域背离所述基板的一侧，所述源电极在所述基板上的正投影和所述漏电极在所述基板上的正投影覆盖所述导通区域在所述基板上的正投影。

10.根据权利要求7至9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述提供基板的步骤，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极和所述衬底上形成栅极绝缘层；

其中，所述栅极在所述衬底上的正投影分别与所述源电极在所述衬底上的正投影以及所述漏电极在所述衬底上的正投影交叠。