[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811368055.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111200016B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成阱区的第一区域以及用于形成漂移区的第二区域，所述第一区域和第二区域相邻接；图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一鳍部、以及位于所述第二区域的第二鳍部，所述第二鳍部数量大于所述第一鳍部数量。本发明实施例通过增加所述第二鳍部的数量，相应增加了电流从漏区流向源区的流通路径长度，从而减小电流流通路径上的压降，进而提高LDMOS的击穿电压，以改善LDMOS的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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