[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括用于形成阱区的第一区域以及用于形成漂移区的第二区域，所述第一区域和第二区域相邻接；

图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一鳍部、以及位于所述第二区域的第二鳍部，所述第二鳍部数量大于所述第一鳍部数量；

所述第一区域指向第二区域的方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向，所述第二区域沿所述第二方向包括中心区域以及位于所述中心区域两侧的边缘区域；

形成所述第二鳍部的步骤包括：图形化所述第二区域的基底，形成位于所述中心区域的第一衬底和凸出于所述第一衬底的多个中心鳍部、以及位于所述边缘区域的第二衬底和凸出于所述第二衬底的至少一个边缘鳍部；相邻所述中心鳍部之间的区域为第一凹槽，所述边缘鳍部两侧的区域为第二凹槽，所述第一凹槽深度小于所述第二凹槽深度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为350Å至800Å，所述第二凹槽的深度为1000Å至2000Å。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在与所述鳍部延伸方向相垂直的方向上，所述第二鳍部宽度大于所述第一鳍部宽度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部数量为所述第一鳍部数量的1.25倍至3倍。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽之后，形成所述第二凹槽；或者，在形成所述第二凹槽之后，形成所述第一凹槽。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽之后，形成所述第二凹槽；

形成所述第一凹槽的步骤包括：在所述基底上形成掩膜材料层；在所述掩膜材料层上形成核心层；在所述核心层的侧壁上形成掩膜侧墙；在所述核心层和掩膜侧墙露出的掩膜材料层上形成牺牲层；形成至少覆盖所述边缘区域牺牲层的图形层，所述图形层露出所述中心区域的牺牲层；以所述图形层、核心层和掩膜侧墙为掩膜，依次刻蚀所述牺牲层、掩膜材料层和部分厚度基底，在所述中心区域的基底内形成所述第一凹槽；去除所述图形层、核心层和牺牲层；

形成所述第二凹槽的步骤包括：在所述第一凹槽内形成填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述掩膜材料层，刻蚀后的剩余掩膜材料层作为鳍部掩膜层；以所述鳍部掩膜层和填充层为掩膜，刻蚀所述基底，在所述边缘区域的基底内形成所述第二凹槽；去除所述填充层；

其中，在形成所述第二凹槽后，相邻所述第一凹槽之间的第一衬底内形成有第三凹槽，所述第三凹槽侧壁和相邻所述中心鳍部侧壁相齐平，且所述第三凹槽底部和第二凹槽底部相齐平。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二凹槽之后，形成所述第一凹槽；

形成所述第二凹槽的步骤包括：在所述基底上形成掩膜材料层；在所述掩膜材料层上形成核心层；在所述核心层的侧壁上形成掩膜侧墙；在所述核心层和掩膜侧墙露出的掩膜材料层上形成牺牲层；形成所述牺牲层后，形成覆盖所述中心区域的图形层；以所述图形层为掩膜，去除所述边缘区域的核心层和牺牲层；去除所述边缘区域的核心层和牺牲层后，以所述图形层和掩膜侧墙为掩膜，依次刻蚀所述掩膜材料层和部分厚度的基底，在所述边缘区域的基底内形成所述第二凹槽；去除所述图形层、核心层和牺牲层；

形成所述第一凹槽的步骤包括：在所述第二凹槽内形成填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述掩膜材料层，刻蚀后的剩余掩膜材料层作为鳍部掩膜层；以所述鳍部掩膜层和填充层为掩膜，刻蚀所述基底，在所述中心区域的基底内形成所述第一凹槽；去除所述填充层。

8.如权利要求6或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料为底部抗反射涂层材料、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。