[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811366486.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109817565A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赖志明;张世明;林纬良;曾晋沅;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包括：在基底的上方形成第一层。上述第一层具有沟槽。此方法包括：在上述沟槽的内壁上形成多个第一间隔物。此方法包括：移除上述第一间隔物的一部分。此方法包括：形成填充层至上述沟槽中，以覆盖上述第一间隔物。上述填充层与上述第一间隔物一起形成带状结构。此方法包括：移除上述第一层。此方法包括：在上述带状结构的二个相向的第一侧壁上形成多个第二间隔物。此方法包括：在上述第二间隔物的多个第二侧壁上形成多个第三间隔物。此方法包括：移除上述填充层与上述第二间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔物 第一层 填充层 移除 半导体装置结构 带状结构 第二侧壁 第一侧壁 基底 内壁 相向 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一基底的上方形成一第一层，其中该第一层具有一沟槽；在该沟槽的内壁上形成多个第一间隔物；移除该多个第一间隔物的一部分；形成一填充层至该沟槽中，以覆盖该多个第一间隔物，其中该填充层与该多个第一间隔物一起形成一带状结构；移除该第一层；在该带状结构的二个相向的第一侧壁上形成多个第二间隔物；在该多个第二间隔物的多个第二侧壁上形成多个第三间隔物；以及移除该填充层与该多个第二间隔物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811366486.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
