[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包括：在基底的上方形成第一层。上述第一层具有沟槽。此方法包括：在上述沟槽的内壁上形成多个第一间隔物。此方法包括：移除上述第一间隔物的一部分。此方法包括：形成填充层至上述沟槽中，以覆盖上述第一间隔物。上述填充层与上述第一间隔物一起形成带状结构。此方法包括：移除上述第一层。此方法包括：在上述带状结构的二个相向的第一侧壁上形成多个第二间隔物。此方法包括：在上述第二间隔物的多个第二侧壁上形成多个第三间隔物。此方法包括：移除上述填充层与上述第二间隔物。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置的工艺，特别涉及半导体装置结构的形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业已历经了快速成长。在集成电路的材料与设计的技术发展下，已产出数个世代的集成电路，每个世代均比其前一个世代具有更小且更复杂的电路。然而，这些发展已经增加了集成电路的加工及制造上的复杂度。

在集成电路革命的过程中，通常随着功能密度(例如：每单位芯片面积的互连的装置数量)的增加而缩减几何尺寸(例如：使用一工艺所能形成的最小构件(或线))。这样的尺寸缩减的过程通常会经由增加制造效率与降低关连的成本而获得效益。

然而，由于特征尺寸持续地缩减，工艺的施行则变得愈来愈困难。因此，以愈来愈小的尺寸来形成可靠的半导体装置，会是个挑战。

发明内容

一实施例涉及一种半导体装置结构的形成方法。上述方法包括：在一基底的上方形成一第一层。上述第一层具有一沟槽。上述方法包括：在上述沟槽的内壁上形成多个第一间隔物。上述方法包括：移除上述第一间隔物的一部分。上述方法包括：形成一填充层至上述沟槽中，以覆盖上述第一间隔物。上述填充层与上述第一间隔物一起形成一带状结构。上述方法包括：移除上述第一层。上述方法包括：在上述带状结构的二个相向的第一侧壁上形成多个第二间隔物。上述方法包括：在上述第二间隔物的多个第二侧壁上形成多个第三间隔物。上述方法包括：移除上述填充层与上述第二间隔物。

另一实施例涉及一种半导体装置结构的形成方法。上述方法包括：在一基底的上方形成一第一层。上述第一层具有一第一沟槽与一第二沟槽。上述方法包括：在上述第一沟槽的第一内壁上及上述第二沟槽的第二内壁上形成多个第一间隔物。上述方法包括：移除上述第一间隔物的一部分。上述方法包括：形成一填充层至上述第一沟槽中及上述第二沟槽中，以覆盖上述第一间隔物。上述第一沟槽中的上述填充层与上述第一间隔物一起形成一第一带状结构，上述第二沟槽中的上述填充层与上述第一间隔物一起形成一第二带状结构，上述第一带状结构与上述第二带状结构具有实质上相同的一第一宽度。上述方法包括：移除上述第一层。上述方法包括：在上述第一带状结构的二个相向的第一侧壁上以及在上述第二带状结构的二个相向的第二侧壁上，形成多个第二间隔物。上述方法包括：在上述第二间隔物的多个第三侧壁上形成多个第三间隔物。上述方法包括：移除上述第三间隔物的一部分。上述方法包括：移除上述填充层与上述第二间隔物。

又另一实施例涉及一种半导体装置结构的形成方法。上述方法包括：在一基底的上方形成一第一层。上述第一层具有一第一沟槽与一第二沟槽。上述方法包括：在上述第一沟槽的第一内壁上及上述第二沟槽的第二内壁上形成多个第一间隔物。上述第一间隔物的一第一顶表面实质上对准于上述第一层的一第二顶表面。上述方法包括：移除上述第一间隔物的一部分。上述方法包括：形成一填充层至上述第一沟槽中及上述第二沟槽中。上述第一沟槽中的上述填充层与上述第一间隔物一起形成一第一带状结构，上述第二沟槽中的上述填充层与上述第一间隔物一起形成一第二带状结构。上述方法包括：移除上述第一层。上述方法包括：在上述第一带状结构的二个相向的第一侧壁上以及在上述第二带状结构的二个相向的第二侧壁上，形成多个第二间隔物。上述方法包括：在上述第二间隔物的多个第三侧壁上形成多个第三间隔物。上述第一间隔物与上述第三间隔物以不同的材料形成。上述方法包括：移除上述第三间隔物的一部分。上述方法包括：移除上述填充层与上述第二间隔物。

附图说明