[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811366486.5 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109817565A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赖志明;张世明;林纬良;曾晋沅;刘如淦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 间隔物 第一层 填充层 移除 半导体装置结构 带状结构 第二侧壁 第一侧壁 基底 内壁 相向 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：
在一基底的上方形成一第一层，其中该第一层具有一沟槽；
在该沟槽的内壁上形成多个第一间隔物；
移除该多个第一间隔物的一部分；
形成一填充层至该沟槽中，以覆盖该多个第一间隔物，其中该填充层与该多个第一间隔物一起形成一带状结构；
移除该第一层；
在该带状结构的二个相向的第一侧壁上形成多个第二间隔物；
在该多个第二间隔物的多个第二侧壁上形成多个第三间隔物；以及
移除该填充层与该多个第二间隔物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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