[发明专利]OLED触控显示屏的制作方法有效
| 申请号: | 201811361832.0 | 申请日: | 2018-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN109616496B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
| 发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/311 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明提供一种OLED触控显示屏的制作方法,依次在衬底基板上形成TFT层、OLED层及触控层,相对于现有技术,在制作触控层时,在沉积形成第一绝缘层之后和沉积形成桥点层之前不对第一绝缘层进行蚀刻,而在沉积形成第二绝缘层之后再通过两种蚀刻气体的配合使用来对第一绝缘层和第二绝缘层一同进行干法蚀刻,实现触控层中两种不同深度接触孔的同制程制作,有效降低了湿蚀刻制程对OLED的侵蚀,简化了生产工艺,提升了设备生产能力,同时还可以实现对源漏电极层中触控引线和绑定垫的预保护作用,避免过蚀或者氧化引起的功能失效。 | ||
| 搜索关键词: | oled 显示屏 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种OLED触控显示屏的制作方法,所述OLED触控显示屏包括位于中部的像素区及位于所述像素区外侧的绑定区,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤S1、提供一衬底基板(90),在所述衬底基板(90)上依次形成TFT层(10)及OLED发光层(20);步骤S2、在所述OLED发光层(20)上沉积形成第一绝缘层(31);步骤S3、在所述第一绝缘层(31)上沉积并图案化形成桥点层(32);步骤S4、在所述桥点层(32)及第一绝缘层(31)上沉积形成第二绝缘层(33),在所述第二绝缘层(33)上涂布光阻材料,对该光阻材料进行曝光、显影,得到光阻层(70);步骤S5、以所述光阻层(70)为遮蔽层,对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)进行干法蚀刻,以在像素区内对应于所述桥点层(32)上方形成贯穿第二绝缘层(33)的第一接触孔(301)及在所述绑定区内形成贯穿所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)的第二接触孔(302),该干法蚀刻过程具体为,首先通过第一蚀刻气体对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)进行蚀刻至形成第一接触孔(301)或者所述光阻层(70)所露出的第二绝缘层(33)的厚度小于
然后通过第二蚀刻气体对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)继续进行蚀刻至第一接触孔(301)和第二接触孔(302)均形成,其中,所述第二蚀刻气体对第一绝缘层(31)和桥点层(32)的蚀刻选择比大于5;步骤S6、在所述第二绝缘层(33)上沉积并图案化形成电极线路层(34);步骤S7、在所述电极线路层(34)及第二绝缘层(33)上形成保护层(35)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





